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【凝聚态物理-北京大学论坛 2024年第21期（总603期）】氧化物晶体管可控研制及应用

发布日期:2024-10-28   点击数:

主讲人: 廖蕾 教授（湖南大学)
地点: 物理楼中212会议室
时间: 2023年10月31日（星期四） 下午3:00－4:30
主持 联系人: 杨学林 xlyang@pku.edu.cn
主讲人简介: 廖蕾，湖南大学半导体学院（集成电路学院）教授。2004年，获武汉大学物理学院材料物理专业学士学位；2009年，获武汉大学材料物理与化学专业博士学位。其间，在中国科学院物理研究所联合培养。2009年至2011年，在加州大学洛杉矶分校进行博士后工作，2011年7月份至2016年12月在武汉大学物理学院工作，2017年1月加入湖南大学。在Nature、Nature Electron.、Nature Nano.、 Nature Commun.等学术期刊发表SCI论文200余篇，H因子82，他人引用大于20000次。授权中国发明专利7项。获得国际材料联合会前沿材料青年奖、湖南省青年科技奖、湖南省自然科学一等奖、教育部自然科学一等奖一次和湖北省自然科学一等奖两次。入选国家自然科学基金委杰出青年基金、万人计划“青年拔尖人才”、英国工程技术学会会士（IET Fellow）、科睿唯安全球高被引学者、爱思唯尔中国高被引学者以及湖南省创新研究群体等。IEEE TED和Frontiers of Physics等杂志编辑或编委。

  氧化物薄膜晶体管（TFT）具有较高的载流子迁移率和极低的关态电流，在新型显示技术中有着极大的应用前景。但是，其器件迁移率与稳定性（尤其是光照下的负偏压稳定性，NBIS）之间存在严重的制约关系，这极大的限制了氧化物TFT的进一步发展。报告人针对N型和P型氧化物TFTs做了系列的工作，提升器件的迁移率，很好地调控氧化物半导体内载流子浓度，实现良好的器件电学性能。通过电荷转移跃迁抑制氧化物沟道在NBIS下氧空位的电离，从而极大地提高氧化物TFT的NBIS稳定性。而且，获得高性能高稳定的P型氧化物薄膜晶体管，构建基于氧化物的CMOS电路。并且利用P型TFT构筑了高性能视觉传感器，比探测率超过1016，并构筑了仿神经形态视觉传感器。


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