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学术交流

【凝聚态物理-北京大学论坛 2025年第20期(总631期)】全二维范德华异质界面与器件

发布日期:2025-10-10   点击数:

主讲人: 张先坤教授, 北京科技大学
地点: 物理大楼中212报告厅
时间: 2025年10月16日(周四)下午3:00-4:30
主持 联系人: 许福军 fjxu @pku.edu.cn
主讲人简介: 张先坤,北京科技大学前沿交叉科学技术研究院教授,未来芯片二维半导体材料与器件研究中心主任,博导。近年来,主要从事突破尺寸极限的新型二维过渡金属硫族化合物(TMDC)材料及其在集成电路基础半导体器件的应用研究,在二维TMDC材料的控制生长、异质结构筑与界面调控、高性能器件设计与构筑方面取得了多项创新成果。在低维半导体材料与器件领域发表原创论文50余篇,包括Science、Nat. Mat.、Nat. Electronic.、Nat. Commun.(2篇)、Adv. Mater.(5篇)等第一/通讯作者论文30余篇。获得授权中国发明专利18项、美国发明专利1项;获国家优青、北京市科技新星、中国科协青年托举等人才项目支持;主持了科技部重点研发计划课题、国家自然科学基金委重大研究计划课题、原创探索计划等项目10余项。

超薄的二维材料因其原子级平整的表面和对短沟道效应出色的免疫力被认为是未来电子学器件的潜在候选材料。一个高性能半导体器件的应用与服役是离不开一个高质量的金属/半导体接触。然而,二维材料的金属/半导体接触通常会表现出严重的费米钉扎效应和不受控制的肖特基势垒。针对上述问题,团队致力于高质量范德华界面集成及器件构筑研究,使用二维材料体系作为器件的主要组成的全二维电子学器件设计构筑思想,建立了金属性二维材料的功函数数据库,研制出了系列高性能全二维范德华异质结器件。同时设计构筑了二维多栅场效应晶体管,实现了二维晶体管功耗的显著降低和算力的大幅提升,验证了二维材料在集成电路领域的极大潜力。

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Institute of Condensed Matter and Material Physics, Peking University