超薄的二维材料因其原子级平整的表面和对短沟道效应出色的免疫力被认为是未来电子学器件的潜在候选材料。一个高性能半导体器件的应用与服役是离不开一个高质量的金属/半导体接触。然而,二维材料的金属/半导体接触通常会表现出严重的费米钉扎效应和不受控制的肖特基势垒。针对上述问题,团队致力于高质量范德华界面集成及器件构筑研究,使用二维材料体系作为器件的主要组成的全二维电子学器件设计构筑思想,建立了金属性二维材料的功函数数据库,研制出了系列高性能全二维范德华异质结器件。同时设计构筑了二维多栅场效应晶体管,实现了二维晶体管功耗的显著降低和算力的大幅提升,验证了二维材料在集成电路领域的极大潜力。