摘要 (Abstract) ：
后摩尔时代，突破尺寸微缩极限，研制面向下一代集成电路的新材料与新器件是全球关注的焦点。在先进制程非硅新材料研究中，二维过渡金属硫族化合物（TMDC）材料，因具有突破尺寸微缩极限的稳定结构、与块体硅材料相当的性能，成为最具竞争力新材料之一。美国、欧盟 、韩国等纷纷出台国家计划支持开展二维半导体新材料研究；国际半导体联盟技术路线图也将二维半导体材料列为未来新材料技术路线中。北京科技大学研究团队聚焦二维半导体材料在未来先进制程集成电路应用目标，围绕晶圆级高质量二维半导体材料制备，高性能全二维范德华异质结电子学器件的设计构筑，与硅基工艺兼容的二维半导体器件集成与互联等方面开展了研究，提出了二维限域熔融生长机制，实现了2英寸单晶单层二硫化钼的高质量生长，研制出高热稳定性、低接触电阻的二维半导体器件，提出了Pseudo-CMOS架构二维半导体逻辑门器件，建设了6英寸二维半导体材料与器件实验平台，牵头启动建设8英寸二维半导体工艺验证平台，充分验证二维半导体材料在集成电路应用的可行性。
