北京大学凝聚态物理与材料物理研究所网站欢迎您！
宽禁带半导体及其交叉融合
凝聚态物理—北京大学论坛 2026年第 10期（No.651 since 2001）
摘要 (Abstract) ：
本报告从半导体基本概念入手，首先论述 X 射线与电子的发现对半导体发展的重要影响，及半导体在信息、能源等领域的关键作用。在此基础上，重点围绕宽禁带 GaN 基半导体，介绍其结构特性及在照明、显示、通信等领域的应用，展现多学科交叉特点。随着人工智能的迅速发展，未来GaN 基半导体将进一步融合基础和应用学科，在AI算力、具身智能、6G通信、脑机接口等方向具有巨大发展机遇和挑战。
官方微信
官方微博
北大就业
版权所有 © 凝聚态物理与材料物理研究所
Institute of Condensed Matter and Material Physics, Peking University
